交易价格： 面议
类型： 发明专利
技术成熟度： 正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN200810031498.2
交易方式： 完全转让 许可转让 技术入股
联系人： 中南大学
所在地：湖南长沙市
一种粉末冶金金属硅太阳能电池衬底制备工艺
本发明公开了一种粉末冶金金属硅太阳能电池衬底制备工艺，将3N及以下的金属硅原材料经过制粉、成型与烧结，制成特定形状的金属硅锭子，而后切割成300～500微米厚的薄膜太阳能电池衬底。该工艺制备之衬底经特殊扩阻挡层处理后，可用作直接生长大晶粒高质量多晶硅、非晶硅薄膜的衬底。衬底和薄膜的热膨胀系数匹配，避免了高温或冷却过程中薄膜开裂和剥落。本工艺采用的原料成本低、工艺简单并适于大规模工业生产。它的开发成功为薄膜太阳能电池工业化打下了坚实基础。
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