交易价格： 面议
类型： 发明专利
技术成熟度： 已有样品
专利所属地：中国
专利号：201410026373.6
交易方式： 完全转让
联系人： 王勇
所在地：江苏南京市
本发明公开了一种悬空氮化物薄膜LED器件及其制备方法（专利号201410026373.6），实现载体为硅衬底氮化物晶片，包括顶层氮化物器件层和硅衬底层；该方法能够实现高折射率硅衬底层和氮化物器件层的剥离，消除硅衬底层对激发光的吸收，实现悬空氮化物薄膜LED器件；顶层氮化物器件层的上表面具有纳米结构，用以改善氮化物的界面状态，提高出光效率；结合背后对准和深硅刻蚀技术，去除LED器件下方的硅衬底层，得到悬空氮化物薄膜LED器件，进一步采用氮化物背后减薄刻蚀技术，获得超薄的悬空氮化物薄膜LED器件，降低LED器件的内部损耗，提高出光效率。
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