交易价格: 面议
类型: 发明专利
技术成熟度: 正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN200910042779.2
交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股
联系人: 中南大学
所在地:湖南长沙市
本发明公开了一种炭纤维增强炭-碳化硅双基体摩擦材料的制备方法(专利号200910042779.2),采用短切炭纤维、石墨粉、工业硅粉和粘结剂冷压成炭纤维增强石墨粉和硅粉的(C/C-Si)块体材料,将制得的C/C-Si块体材料进行机械破碎并且造粒,然后将颗粒温压成C/C-Si素坯,将C/C-Si素坯炭化制得C/C-Si多孔体,最后对C/C-Si多孔体进行非浸泡式定向熔硅浸渗制得炭纤维增强炭-碳化硅双基体(C/C-SiC)材料。本发明是一种制备周期短、成本低、可工程化且所制备的复合材料具有较高的力学性能和优异的摩擦磨损性能的炭纤维增强炭-碳化硅双基体摩擦材料的制备方法。
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