交易价格: 面议
类型: 发明专利
技术成熟度: 正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN201110007251.9
交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股
联系人: 中南大学
所在地:湖南长沙市
本发明公开了一种高钨含量高致密度细晶钨铜材料及其制备方法(专利号201110007251.9),其成分为:Cu含量为5-20wt%;余量为W。首先采用溶胶-喷雾干燥获得W-Cu前驱体粉末,前躯体粉末经煅烧后再进行球磨获得成分均匀的W-Cu氧化物复合粉末,氧化物复合粉末经多步氢还原方法获得超细W-Cu复合粉末;再加入0-2.5wt%的低分子有机粘结剂后采用模压或冷等静压压制成压坯;然后将压坯进行二步烧结,获得致密的高性能细晶W-Cu材料。本发明制备的W-Cu材料的致密度高达98.5%以上,合金组织细小均匀,导电导热性能好,热膨胀系数低,电导率为17-27MS/m(IACS为29-46),热导率为170-220W/(m·K),热膨胀系数为(4.5-7.0)×10-6/K,非常适合制作高性能电极材料、电触头材料以及电子封装材料。
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