交易价格： 面议
类型： 发明专利
技术成熟度： 正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201310066137.2
交易方式： 完全转让 许可转让 技术入股
联系人： 中南大学
所在地：湖南长沙市
本发明公开了一种半连续熔盐电解制备太阳级多晶硅材料的方法及装置（专利号201310066137.2），该方法是将硅氧化物原料先经过熔盐电解槽电解制得Si/M熔融合金；制得的Si/M熔融合金转移至水平精炼电解槽中精炼后获得Si/M阴极合金；所得Si/M阴极合金再通过电化学分离制得多晶硅阳极泥；将多晶硅阳极泥经洗涤后，真空干燥，即得太阳级多晶硅；装置包括熔盐电解槽和水平精炼电解槽，其中，熔盐电解槽和水平精炼电解槽通过隔板a隔断，隔板底部设有连通熔盐电解槽和水平精炼电解槽的通道；水平精炼电解槽底层设有阳极和阴极，并通过隔板b隔断，上部相通；本发明方法效率高、能耗低、成本低、低污染，制得的太阳级多晶硅符合太阳级多晶硅材料的要求，可工业化生产；装置简单、成本低，可连续工业化生产。
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