交易价格： 面议
类型： 发明专利
技术成熟度： 正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201410158153.9
交易方式： 完全转让 许可转让 技术入股
联系人： 中南大学
所在地：湖南长沙市
一种高光电性能三氧化钨薄膜的制备方法
本发明公开了一种高光电性能三氧化钨薄膜的制备方法，该方法是将钨酸盐溶于水配成钨酸盐溶液，再依次在所得钨酸盐溶液中加入盐酸和固体杂多酸，搅拌至无沉淀产生，形成前驱体混合液；在所得前驱体混合液中加入草酸铵作为结构导向剂，以FTO基底为载体，通过水热法在FTO基底上沉积三氧化钨晶体后，将沉积了三氧化钨的FTO基底进行煅烧，在FTO基底上制得三氧化钨薄膜；制备方法过程简单、操作便捷，制备的三氧化钨薄膜形貌良好、由单斜相三氧化钨纳米片构成，具有高光电性能，应用前景广泛。
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