交易价格： 面议
类型： 发明专利
技术成熟度： 正在研发
专利所属地：中国
专利号：201210192703.X
交易方式： 完全转让 许可转让 技术入股
联系人： 沈阳大学
所在地：辽宁沈阳市
一种硅薄膜表面减反射结构的制备方法（专利号201210192703.X）为；1、硅薄膜制备：首先将纯度99.9999%的硅靶、纯度99.999%的银靶和廉价硅片基体依次装入真空室中，然后将真空室抽真空，之后向真空室通入氩气，最后在所述基体上沉积厚度为0.3~5微米的多晶硅薄膜；2、银纳米粒子沉积：在步骤1中最终所获的多晶硅薄膜上继续沉积银纳米粒子，所沉积的银纳米粒子厚度为2~20纳米；3、贵金属银纳米粒子催化刻蚀；4、银纳米粒子去除：将步骤3中最终所获发黑硅薄膜用质量分数为20~40%硝酸溶液室温下浸泡10~30分钟，以去除残留在所述发黑硅薄膜上的银纳米粒子，再先后用蒸馏水和乙醇冲洗干净，冷风吹干。本发明具有多孔结构，具有成本低、减反射效果好和稳定性高的特性。
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