[00270381]I层钒掺杂的碳化硅肖特基结型核电池及其制作方法
交易价格：
面议
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201110318293.4
交易方式：
完全转让
许可转让
技术入股
联系人：
四川钒钛产业技术研究院
所在地：四川攀枝花市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明公开了一种I层钒掺杂的碳化硅肖特基结型核电池及其制作方法，主要解决现有技术中能量转换效率降低的问题。本发明的肖特基结型核电池自下而上依次包括n型欧姆接触电极(8)、掺杂浓度为1×10 18 ～7×10 18 cm -3 的n型SiC衬底样片(7)、n型SiC外延层(6)、SiO 2 钝化层(5)、肖特基金属接触层(4)、肖特基接触电极(3)、键合层(2)和放射性同位素源层(1)，其中n型SiC外延层(6)通过注入能量为2000KeV～2500KeV，剂量为5×10 13 ～1×10 15 cm -2 的钒离子形成掺杂浓度为1×10 13 ～5×10 14 cm -3 的n型SiC外延层。本发明具有电子空穴对收集率，器件的开路电压和能量转换效率高的优点，可作为微系统的片上电源、心脏起搏器的电源和手机备用电源。
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