[00270306]一种掺金二氧化钒纳米片结构室温CH4气敏传感器的制备方法
交易价格：
面议
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201610555929.X
交易方式：
完全转让
许可转让
技术入股
联系人：
四川钒钛产业技术研究院
所在地：四川攀枝花市
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-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
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技术详细介绍
本发明公开了一种掺金二氧化钒纳米片结构室温CH4气敏传感器的制备方法，包括以下步骤：陶瓷基片的清洗；称量V2O5粉末；单一气相传输法制备二氧化钒纳米片；在二氧化钒纳米片表面掺杂金；以及制备掺金二氧化钒纳米片气敏传感器元件的步骤。本发明提供了一种操作简便，可低成本制备掺金二氧化钒纳米片的方法，单一气相传输法所需控制的工艺条件少，且对环境无污染。并且，所制备的掺金二氧化钒纳米片具有较大比表面积和气体扩散通道，更有利于气体的吸附和扩散。本发明所制备的掺金二氧化钒纳米片结构气敏传感器在室温下检测低浓度的CH4气体，具有灵敏度较高、响应恢复时间短的优点。掺金二氧化钒复合材料在降低气敏传感器的温度，提高气敏传感器灵敏度方面有很大的研究空间。
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