[00270181]单晶多孔九硒化二钒纳米片阵列电催化材料及其制备方法
交易价格：
面议
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201710045222.9
交易方式：
完全转让
许可转让
技术入股
联系人：
四川钒钛产业技术研究院
所在地：四川攀枝花市
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-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明公开了一种单晶多孔九硒化二钒纳米片阵列电催化材料，在导电基底上生长九硒化二钒纳米阵列，所述九硒化二钒为单晶多孔结构。制备方法为：配制浓度为1‑4mol/L的偏钒酸铵溶液，调节pH1‑3，转入反应釜中，将导电基底放入反应釜中，密封反应釜，进行第一次水热反应，在导电基底表面生长偏钒酸铵纳米片阵列，取出导电基底，用去离子水冲洗表面，然后干燥；将步骤处理后的导电基底在马弗炉中煅烧，得到多孔五氧化二钒纳米片阵列；迅速将制得的硒氢化钠溶液转移到反应釜中，再得到的导电基底斜置放入反应釜中，密封该反应釜，然后将反应釜放入鼓风干燥箱中，进行第二次水热反应；制得九硒化二钒纳米片阵列。该催化剂降低了制氢成本，催化活性与金属铂相当。
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