[00270178]单斜相二氧化钒材料点缺陷形成能的高通量模拟方法
交易价格:
面议
类型:
发明专利
技术成熟度:
正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN201610293810.X
交易方式:
完全转让
许可转让
技术入股
联系人:
四川钒钛产业技术研究院
所在地:四川攀枝花市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明公开了一种单斜相二氧化钒材料点缺陷形成能的高通量模拟方法包括以下步骤:S1,单斜相二氧化钒点缺陷模型的构建;S2,缺陷形成能的计算模拟;S3,结果处理与分析。本发明明确了二氧化钒本征点缺陷与氧分压的关系,通过高通量模拟表征点缺陷的原子微结构和电子行为,对增强VO2薄膜的抗氧化能力、提高可见光透过率,调控VO2的金属绝缘体转变温度有重要意义,为智能窗的实际应用起到积极作用。