[00269771]一种高电阻温度系数二氧化钒薄膜的制备方法

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN200910061700.0

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：四川钒钛产业技术研究院

所在地：四川攀枝花市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

本发明公开了一种高电阻温度系数二氧化钒薄膜的制备方法，可用于非致冷红外探测。该方法在沉积有Si 3 N 4 或者SiO 2 薄膜的硅衬底上，采用反应离子束溅射法沉积厚度为50－200nm的氧化钒薄膜；待自然冷却后，取出样片，再进行退火。本发明方法所制备薄膜具有平均晶粒5～20nm的纳米结构，在半导体区具有－5％/K～－7％/K电阻温度系数(TCR)，合适的方块电阻，与常用微米结构二氧化钒相当的噪声电平的优点。是一种很有潜力的非致冷红外探测材料。

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