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[00266118]基于宽光谱响应CuPc/F4‑TCNQ结构的光电探测器及其制备方法

交易价格: 面议

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201610864180.7

交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股

联系人: 浙江工业大学

所在地:浙江杭州市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

本发明提供了一种基于宽光谱响应CuPc/F4‑TCNQ结构的光电探测器及其制备方法,所述的光电探测器依次由透光衬底、导电薄膜电极层、CuPc薄膜层、F4‑TCNQ薄膜层、金属薄膜电极层复合组成;本发明方法制得的光电探测器件光谱响应波段范围大,无需制冷、无需加偏压即可响应从紫外波段一直到近红外波段;零偏压下的最大探测率可达1.5×109Jones;并且制作设备简单,操作方便,制作成本低;制得的光电器件具有良好重复性和稳定性。

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