[00261035]丝网印刷制备纳米SiC薄膜中的热烧结处理方法

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN200810233812.5

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：科小易

所在地：福建厦门市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

本发明涉及丝网印刷制备纳米SiC薄膜中的热烧结处理方法，其特点是，包括下列步骤，升温至350-380K后保持20-25分钟，然后再升温至423-453K后保持60-75分钟，然后再升温至633-653K后保持70-80分钟，自然冷却至室温待用。本发明中丝网印刷制备纳米SiC薄膜中的热烧结处理方法，一方面可以使薄膜干燥并牢固地粘结在或其它导电板上衬底上，另一方面可以使薄膜中所含制浆材料分解蒸发掉。使纳米SiC微尖露出薄膜表面，才有利于电子场发射，从而制得纳米SiC场发射阴极薄膜。

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