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[00258776]SiC衬底GaN基紫外LED外延片、SiC衬底GaN基紫外LED器件及制备方法

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201510274602.0

交易方式： 完全转让 许可转让 技术入股

联系人： 科小易

所在地：福建厦门市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

本发明提供一种SiC衬底GaN基紫外LED外延片、SiC衬底GaN基紫外LED器件及制备方法，SiC衬底GaN基紫外LED外延片包括自下而上设置的n型SiC衬底、缓冲层、导电的布拉格反射镜层(DBR)、n-AlxGa1-xN层、紫外发光多量子阱层和p-GaN层，所述X选自0-1，n型SiC衬底厚度小于等于100微米。本发明还公开了一种采用所述SiC衬底GaN基紫外LED外延片制备而成的器件。本发明所述外延片和器件利用导电的布拉格反射镜层将量子阱向衬底方向发射的光反射回表面方向，同时利用其导电特性，在解决SiC材料对紫外光吸收同时，也实现了外延片和器件的垂直电流输运、高光提取效率及高散热能力。

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