[00258545]一种中红外双层纳米金属光栅及其制备方法

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201710550964.7

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：科小易

所在地：福建厦门市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

本发明公开了一种中红外双层纳米金属光栅的制备方法及利用该方法制备获得的中红外双层纳米金属光栅。包括如下步骤：制作压印模板，采用热压印工艺复制软模板，将镍硬模板上纳米线栅结构转移复制到软模板上，得到与原镍硬模板结构互补的纳米线栅结构；提供一作为光栅基底的透红外材料；采用滴胶旋涂方式在基底表面旋涂光栅压印胶介质层；转移纳米图案，采用紫外曝光纳米压印工艺，将前述软模板压印到压印胶介质层，使纳米线栅结构转移到光栅压印胶介质层上；利用垂直热蒸镀工艺在上述光栅压印胶介质层纳米线栅结构凸起和凹槽部位沉积金属，完成中红外双层纳米金属光栅的制备。

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