[00257909]一种原子层沉积p型半导体氧化锌薄膜的方法

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201610068614.2

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：科小易

所在地：福建厦门市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

本发明提供了一种原子层沉积p型半导体氧化锌薄膜的方法，包括如下步骤：等离子体增强原子层沉积设备中通入含锌源气体和含氧源气体，在所述等离子体增强原子层沉积设备反应腔中的衬底表面生长氧化锌薄膜；所述的含锌源气体和含氧源气体是以脉冲方式交替通入所述反应腔中，二者之间用惰性气体进行吹扫所述反应腔；上述含锌源气体、惰性气体以及含氧源气体的通入，经过若干次循环，逐层生长氧化锌薄膜；其中，在所述反应腔中预先通入含氧源气体并进行等离子增强起辉来对衬底表面预先处理，以对衬底表面进行羟基修饰，从而填补了衬底表面的缺陷。本发明仅对制备过程中的工艺进行控制，而无需掺杂就能在较大尺寸的衬底表面制备p型氧化锌薄膜。

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