[00257264]一种硅基双结叠层太阳电池

交易价格： 面议

类型： 实用新型专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201120547261.7

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：科小易

所在地：福建厦门市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

本实用新型公开了一种硅基双结叠层太阳电池，涉及叠层电池结构的设计，属于硅基太阳电池技术领域。该太阳电池包括一个顶电池和一个底电池，两个子电池之间经隧道结连接构成串联结构。顶电池采用宽禁带的非晶硅材料构成PIN结，底电池采用窄禁带的多晶硅材料构成PIN结。非晶硅本征层厚度与多晶硅本征层厚度之比为1∶3。各子电池及其间的连接结构直接在玻璃衬底上沉积而成。该结构可以提高太阳电池的光电转换效率、减轻发生光致衰退效应、减少吸收层厚度、减少硅材料用量、降低太阳电池成本。

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