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[00257123]多坩埚温梯法晶体生长系统

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN200610148319.4

交易方式： 完全转让 许可转让 技术入股

联系人： 科小易

所在地：福建厦门市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

本发明公开了一种多坩埚温梯法晶体生长系统，包括：晶体炉，坩埚及其升降装置，其中晶体炉包括炉体、发热体和炉膛；炉体从外到内依次包括外壳、保温棉层、保温砖层和耐火层，耐火层高度为炉膛总高度的2/3-5/6；发热体位于炉膛1/4-1/2高度处，炉膛为长方体，可以同时容纳多坩埚晶体生长。本发明能保证掺杂浓度，并且能够均匀掺杂，可广泛应用于晶体生长领域。

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