[00256057]一种硅基氮氧化合物薄膜的制备方法

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201310210836.X

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：科小易

所在地：福建厦门市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

本发明涉及一种硅基氮氧化合物薄膜的制备方法，首先将清洗过的衬底放入PECVD设备的反应腔内，分别将Ar、H2等离子化对衬底进行轰击清洗，然后在20～30℃通入SiH4、NH3、H2混合气体，等离子化后在衬底上淀积a‑SiNx薄膜，通入O2氧化a‑SiNx薄膜形成a‑SiNxOy薄膜，在较低的温度下利用大氢稀释方法制备薄膜，降低了薄膜中的非辐射复合缺陷，从而降低其加压后的漏电流，提高其发光的功率效率，使其与同类薄膜电致发光器件相比发光效率有数量级的增强。

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