[00254280]紫外LED材料及芯片制作方法
交易价格：
面议
类型：
发明专利
技术成熟度：
通过小试
专利所属地：中国
专利号：ZL201720872711.7 ZL201721006258.8 ZL201721017643.
交易方式：
许可转让
联系人：
谷猛
所在地：广东深圳市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
紫外光源在工业固化（近紫外波段）和杀菌消毒（深紫外波段）等领域具有重应用。但以汞灯为代表的传统光源会造成严重的环境污染，包括中国在内的92 个国家和地区于2013 年签署了联合国《水俣公约》：到2020年，汞灯在全球范围内的使用都将受到严格的限制。因此，发展新型环保的紫外光源的需求十分迫切。
近年来，基于第三代半导体材料的紫外LED 因其无污染、能耗低、寿命长、便携性好的优点在国际上受到广泛关注，是汞灯的理想替代光源。据法国Yole Développement 公司估计，到2021 年其全球市场容量将达到11 亿美元，若计算相应的灯具、模组，市场规模在百亿美元以上，吸引了大量国际厂商进入该领域。目前紫外LED 经过多年发展虽已初步实现产业化，但其发光功率低和发光效率差的问题严重制约着其在相关领域的应用，且高端产品基本为日本、美国和韩国的大企业垄断。 本团队通过前期技术研发，已经在紫外LED外延、芯片等多个环节开发出具有自己知识产权的创新技术，居国际先进水平，且已开发出高稳定型、高良品率的工程化生产技术，已有多家业内龙头企业表示出合作意向。
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