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[00254126]高速增强型紫外硅选择性雪崩光电二极管及其制作方法

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201010502614.1

交易方式： 完全转让 许可转让 技术入股

联系人： 湘潭大学

所在地：湖南湘潭市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

摘要：本发明公开了一种高速增强型紫外硅选择性雪崩光电二极管及制作方法。所述光电二极管包括P型衬底，P型衬底上设有n阱，n阱上的感光窗口为正八边形同心环或多个正八边形同心环的阵列排布，同心环的掺杂类型为n型和p型相间。本发明的光电二极管具有灵敏度高、响应度好、选择性好的优点。

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