[00254121]一种单管单电容存储单元装置及其制备方法

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201710426275.5

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：湘潭大学

所在地：湖南湘潭市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

摘要：本发明公开了一种单管单电容存储单元装置，包括晶体管和电容结构，所述电容结构的上电极与所述晶体管的漏极通过引线连接。本发明单管单电容存储单元装置采用β‑Ga2O3作为沟道材料，一种热稳定性和化学稳定性都良好的宽禁带半导体材料，且预期具有非常好的抗辐射性能，可以加固沟道部位的抗辐射能力。同时，本发明还公开了一种所述单管单电容存储单元装置的制备方法及包含所述单管单电容存储单元装置的存储器。

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