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[00253762]快速开关功率绝缘栅半导体器件

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN200480006969.4

交易方式： 完全转让 许可转让 技术入股

联系人： 西北大学

所在地：陕西西安市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

摘要：一种绝缘栅半导体器件(30)，包括栅极(34)、源极端子(36)、漏极端子(38)和栅极处的可变输入电容。该器件导通时的输入电容(Cfiss)和该器件截止时的输入电容(Ciiss)之间的比值小于2，并且优选地基本上等于1。在本发明的一个实施方式中，这是通过栅极处的有效厚度dins小于最小厚度的绝缘层(32)来实现的。

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