[00253761]一种共栅共源多漏极的碳纳米管导电沟道场效应晶体管

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201110313866.4

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：西北大学

所在地：陕西西安市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

摘要：本发明公开了一种新型共栅共源多漏极的碳纳米管导电沟道场效应晶体管结构，包括位于最底端的衬底，该衬底是呈现P型导电性的硅单晶片，同时作为背栅电极；衬底上是已知厚度和介电常数的绝缘层，在绝缘层上有由一个源极和两个或两个以上相互独立的漏极组成的电极组，其中，两个或两个以上的漏极分别与源极由碳纳米管网络相连接，构成共栅、共源极的两组或两组以上的导电沟道。且一组导电沟道的漏源电压的变化可以调节其它组导电沟道的漏源电流。

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