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[00253760]一种在Si(100)衬底上制备不同晶相择优生长InN的方法

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201610318292.2

交易方式： 完全转让 许可转让 技术入股

联系人： 西北大学

所在地：陕西西安市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
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技术详细介绍

摘要：本发明公开了一种在Si(100)衬底上制备不同晶相择优生长InN的方法，包括采用磁控溅射法在Si(100)衬底上进行(100)晶相InN、(002)晶相InN及(101)晶相InN的生长；所述的(100)晶相InN为三棱柱结构，(002)晶相InN为正六棱柱结构，(101)晶相InN为正方体结构。从微观结构上看，InN的排列致密，均一性好，根据不同的取向和微观形貌可以用作不同需求的传感器材料。(100)晶相InN与衬底的应力大小为0。

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