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[00253759]一种氮化碳场发射阴极的制备方法

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201110312674.1

交易方式： 完全转让 许可转让 技术入股

联系人： 西北大学

所在地：陕西西安市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
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技术详细介绍

摘要：本发明公开了一种CNx场发射阴极的制作方法，该方法选择钛片作为基底，利用悬浊液静置沉降法在基底上形成含有CNx的胶膜，通过HFCVD热处理在基底与CNx颗粒之间键合生成TiC过渡层。其制作方法包括：先对基底钛片进行抛光处理，然后利用悬浊液静置沉降法在其上形成含有CNx颗粒的有机胶膜，最后采用真空热处理使有机胶膜分解挥发，同时形成CNx颗粒与基底的键合。本发明制备的CNx平面场发射阴极，由于在基底与CNx颗粒之间键合生成过渡层，降低了界面处的电子势垒，实现高密度的电子注入，同时，也加强了CNx与基底的黏附性。该法制备CNx场发射阴极，工艺简单、成本低廉、易于推广。

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