[00253755]一种二氧化锰树枝状纳米阵列电极材料及制备方法

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201510030906.2

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：西北大学

所在地：陕西西安市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

摘要：本发明提供了一种二氧化锰树枝状纳米阵列电极材料及制备方法，每个树枝状二氧化锰阵列单元在单晶二氧化锰方形纳米管主干的四个侧棱上生长有四列单晶二氧化锰方形纳米管枝干；枝干轴向与主干轴向之间的夹角范围为57°～62°。采用两步水热法合成；第一步水热法过程中采用单抛硅片作为基底来一次生长纳米阵列；第二步水热法过程中采用生长有单晶二氧化锰方形纳米管主干的单抛硅片作为基底来二次生长纳米阵列；在二次生长时将生长有单晶二氧化锰方形纳米管主干的单抛硅片抛光面向下放置；在二次生长时所述的生长有单晶二氧化锰方形纳米管主干的单抛硅片为三片；在二次生长时原料的浓度低于一次生长时原料的浓度。

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