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[00252258]一种发光半导体器件

交易价格: 面议

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201310665417.5

交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股

联系人: 西安交通大学

所在地:陕西西安市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

本发明公开了一种发光半导体器件,包括N型半导体和依次设置于N型半导体一侧上的有源区、P型半导体和P电极,P型半导体具有粗糙表面,且在P型半导体的粗糙表面上采用PVD镀有光提取镀层,N电极设置于N型半导体另一侧上;当N电极设置于N型半导体上且与P电极同侧时,衬底设置于N型半导体另一侧上。本发明通过在P型半导体上制作粗糙表面,以及采用PVD在该P型半导体的粗糙表面镀有光提取镀层,使得发光半导体器件的出光效率至少提高了5%。

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