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[00252257]一种LED垂直芯片结构及制作方法

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201310156642.6

交易方式： 完全转让 许可转让 技术入股

联系人： 西安交通大学

所在地：陕西西安市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

本发明涉及公开了一种LED垂直芯片结构及制作方法，所述LED垂直芯片结构自下到上依次设有衬底、石墨烯层、ZnO纳米墙/GaN层、n‑GaN层、InGaN/GaN多量子阱及p‑GaN。相比传统蓝宝石衬底LED芯片，发光面积大，散热能力强，不存在电流拥堵效应。同时，由于此LED垂直芯片为直接外延生长，相较于剥离‑键合工艺制备的垂直结构LED，省去了剥离和键合工艺，使得工艺简化、成品率高。

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