[00252252]一种垂直型多电流通道SiC光导开关及其制作方法

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201710547436.6

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：西安交通大学

所在地：陕西西安市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

本发明公开了一种垂直型多电流通道SiC光导开关及其制作方法，首先采用lift‑off工艺将所需电极图形转移到SiC衬底一侧表面，利用磁控溅射工艺在SiC衬底电极图形上依次制作Ti层和W层，然后在W层上利用真空蒸发镀膜工艺依次制作Au层和NiCr层，从而完成接触电极的制作，对制作完接触电极的SiC衬底进行去胶，使衬底形成多电流通道的，采用多电流通道的方法来减小现有开关中出现的电流丝效应，电流丝效应是电流集中在局部区域，会使得该区域温度升高很多，从而导致开关热损坏，降低器件寿命；多电流通道将电流分散在开关中，减少了热集中，增加了光导开光的寿命；通过在SiC光导开关上设置多电流通道，减小电流密度，从而提高开关耐压能力及可靠性。

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