[00252251]沉积CsPbBr3纳米片薄膜光电探测器的制备方法

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201710039265.6

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：西安交通大学

所在地：陕西西安市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

沉积CsPbBr3纳米片薄膜光电探测器的制备方法，将CsPbBr3纳米片十八烯溶液离心清洗后，分散到有机溶剂中；将多片图形化金叉指电极排列放在容器内，加入CsPbBr3纳米片有机溶剂分散液；容器敞口放置直到所有的有机溶剂完全蒸发，将沉积CsPbBr3纳米片的金叉指电极热退火后，连接到TO‑5管壳的引脚上，完成光电探测器的制备。本发明采用溶液静置自组装方法制备CsPbBr3纳米片薄膜，可以在容器内同时在多片电极上沉积，提高材料的利用率，同时保证CsPbBr3纳米片薄膜的大面积均匀性和致密性，该方法灵活可控，最终制得长时间稳定的、高性能的CsPbBr3纳米片薄膜光电探测器。

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