[00252245]一种抗PID的晶体硅太阳电池组件及其制备方法

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201610290234.3

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：西安交通大学

所在地：陕西西安市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

一种抗PID的晶体硅太阳电池组件及制备方法，包括从下向上依次设置的低铁压花钢玻璃、第一封装胶膜、整个电池片、第二封装胶膜和背板，所述的电池片周围设置一圈导电保护环，其中，所述整个电池片为若干电池片互相串联而成。当有太阳光时，各子串会输出直流高压，该直流高压的正极和导电保护环相连接，这样该导电保护环相对于各组件的铝边框是正电压，形成的电场由保护环指向玻璃外面，这样从根本上预防了玻璃中的金属离子向电池片表面迁移，从而从根本上解决了晶体硅光伏组件存在的PID衰减，该方法简单易行，成本低、效果好。本发明从根本上消除了晶体硅太阳电池组件的PID衰减，克服了现有方法的局限性和危险性。

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