[00252241]金刚石基背栅型氢终端场效应晶体管及其制备方法

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201710331449.X

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：西安交通大学

所在地：陕西西安市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

本发明公开了一种金刚石基背栅型氢终端场效应晶体管及其制备方法；该场效应晶体管，包含金刚石衬底、背栅极、源极、栅引出电极、漏极和单晶金刚石外延薄膜；金刚石衬底上设有背栅极，背栅极上设有栅引出电极；金刚石衬底的上表面覆盖一层单晶金刚石外延薄膜，单晶金刚石外延薄膜将背栅极包裹于其中，栅引出电极的上部伸出单晶金刚石外延薄膜的顶部；单晶金刚石外延薄膜上还设有源极和漏极。本发明采用背栅型设计，将导电部分全部裸露出来，这样即使在长期使用或是高温过冲条件下造成氢终端导电沟道退化甚至失效的情况下，可以将器件置于氢等离子体环境中，使得导电沟道表面区域得到重新氢化，恢复导电性能，实现场效应晶体管的重复使用。

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