[00252236]一种分裂电容中间布局的低寄生电感GaN功率集成模块

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201410359745.7

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：西安交通大学

所在地：陕西西安市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

本发明提供一种分裂电容中间布局的低寄生电感GaN功率集成模块，包括上桥臂器件、下桥臂器件和母线电容，上桥臂器件、下桥臂器件是LGA封装的GaN器件，母线电容是贴片封装。两个GaN器件并排放置，多个母线电容放置在两个GaN器件中间。上桥臂器件的每一个源极引脚和下桥臂器件的一个漏极直接相连，上桥臂器件的每一个漏极和下桥臂器件的一个源极分别连接到一个母线电容的两个电极。本发明采用的布局方式，可以有效地减小高频功率回路的面积，同时充分利用了LGA封装漏极和源极引脚交错排列的结构，构成多个交错并联的高频功率电流回路，从而明显地降低了高频功率回路寄生电感，减小了开关过程中的过电压和振荡。

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