[00250626]具有晶粒尺寸差异的Cu/Ta纳米多层膜的制备方法

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN200910219558.8

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：西安交通大学

所在地：陕西西安市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

本发明公开了一种通过磁控溅射技术制备不同晶粒尺寸金属纳米多层膜的方法。本发明的Cu/Ta纳米多层膜由Cu层和Ta层交替组成，两层厚度之比为1∶1，调制波长为5-140nm，总厚度为1μm。其中Cu层晶粒尺寸与膜层厚度相当；Ta层晶粒尺寸约为膜厚的1/4。Cu层和Ta层具有明显晶粒尺寸差异。本发明所述的Cu/Ta纳米多层膜硬度，比传统多层膜材料增加了35％；拉伸延展性也超过了5％，远高于传统多层膜材料。本发明所述的Cu/Ta纳米多层膜在硬度和塑性上达到力学性能最优化。本发明制备的不同晶粒尺寸金属纳米多层膜可在超大规模集成电路器件、各类精密仪器的保护涂层和功能涂层等方面得到广泛应用。

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