[00250605]一种高阻尼形状记忆合金及其制备方法

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201410022995.1

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：西安交通大学

所在地：陕西西安市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

本发明公布了一种高阻尼形状记忆合金及其制备方法，该形状记忆合金的化学式为Ni55‑xCuxMn25Ga20(0≤x≤6)；按照Ni55‑xCuxMn25Ga20的化学计量比，将Ni、Cu、Mn和Ga单质放入电弧熔炼炉中，并抽真空再充入氩气在110A下熔炼得到铸锭，并将铸锭反复熔炼后经高温固溶处理后淬火至室温，得到高阻尼形状记忆合金。对Ni55‑xCuxMn25Ga20形状记忆合金体系的阻尼测试表明，这些样品具有高阻尼峰，阻尼峰值Q‑1均大于0.03，最大峰值达到0.0771。阻尼峰的温度范围很宽，可达到200K‑430K，完全覆盖环境温区，且阻尼峰不随频率变化、稳定性高，具有实际应用价值。

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