[00249463]半中空双连续H2V3O8/石墨烯管中线结构同轴纳米线材料及其制备方法和应用
交易价格:
面议
类型:
发明专利
技术成熟度:
正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN201310434930.3
交易方式:
完全转让
许可转让
技术入股
联系人:
武汉理工大学
所在地:湖北武汉市
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- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
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技术详细介绍
摘要:本发明涉及半中空双连续H2V3O8/石墨烯管中线结构同轴纳米线材料及其制备方法,由石墨烯自卷曲包覆H2V3O8纳米线形成,石墨烯自卷曲形成的石墨烯卷与H2V3O8纳米线之间存在间隙,其中H2V3O8纳米线直径为20-80nm。该纳米材料可作为锂离子电池正极活性材料。本发明具有工艺简单、成本低等优点,由电极材料组装的电池具有循环稳定性好、在大电流下电化学性能优异等特点。