[00249455]具有不同排列方式的异质结构介电薄膜及其制备方法

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN200810048174.X

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：武汉理工大学

所在地：湖北武汉市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

摘要：本发明公开了一种具有不同排列方式的Ca(Mg1/3Nb2/3)O3/CaTiO3异质结构介电薄膜材料及其制备方法。采用多种不同的复合叠加方式，获得了具有不同相结构和介电性能的异质结构介电薄膜材料，并证明薄膜层的排列方式对异质薄膜的结构与性能有较大影响。在非周期性重复排列方式中，仅有CaTiO3－CaMg1/3Nb2/3O3排列方式的异质介电薄膜具有单一的钙钛矿结构，而且薄膜表面均一致密。周期单元周期性重复排列方式中，改变排列方式不影响薄膜的结构，不同叠层结构均具有单一钙钛矿结构，薄膜表面均一致密。相对于非周期重复排列薄膜，周期单元周期性重复排列方式提高了异质薄膜的介电性能，而介电损耗较低。本发明的CaMg1/3Nb2/3O3/CaTiO3异质结构的介电薄膜，适用于薄膜化与小型化的微波通信领域介质元件。

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