[00248294]一种表面笼状聚倍半硅氧烷修饰的人工晶状体及其制备方法

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201410653445.X

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：温州医科大学

所在地：浙江温州市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

摘要：本发明涉及一种表面笼状聚倍半硅氧烷修饰的人工晶状体及其制备方法。一种表面笼状聚倍半硅氧烷修饰人工晶状体的制备方法，包括以下工艺步骤：取干净的人工晶状体，并通过表面预处理获得化学活性表面；化学活性表面与含可反应性功能基团的POSS化学反应，获得表面接枝有笼状POSS的人工晶状体。本发明的优点是通过纳米笼状POSS修饰获得表面微纳复合结构，从而获得超疏水表面，抑制晶状体上皮细胞粘附，得到高生物相容性人工晶状体。

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