[00246475]4H-SiC基中子探测器用6LiF/ BC4复合中子转换薄膜制备工艺方法

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201310252906.8

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：四川大学

所在地：四川成都市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

摘要：本发明公开了一种4H-SiC基半导体中子探测器用的6LiF/BC4复合中子转换膜制备方法，采用射频磁控溅射技术，主要包含镀前处理、偏压反溅射清洗、预溅射清洗以及沉积6LiF/BC4复合转换膜等步骤。镀前处理为采用丙酮、乙醇超声波清洗；反溅射和预溅射清洗去除4H-SiC基体及靶材杂质。采用本发明获得的6LiF/BC4转换膜层耐辐照损伤、耐高温、厚度能精确可控、与4H-SiC基体结合性能优良和制备工艺重复性强，易实现产业推广。本发明制备的6LiF/BC4复合转换膜层与半导体4H-SiC器件合成的中子探测器实测效果具有噪音小、探测中子效率高、以及高γ抑制性等优点。

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