[00239649]基于氧化钒/氧化锌叠层结构的阻变存储器及其制备方法
交易价格:
面议
类型:
发明专利
技术成熟度:
正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN201210440132.7
交易方式:
完全转让
许可转让
技术入股
联系人:
四川钒钛产业技术研究院
所在地:四川攀枝花市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
一种基于氧化钒/氧化锌叠层结构的阻变存储器,由下电极、阻变层和上电极构成,阻变层为由氧化钒介质层和氧化锌介质层组成的叠层结构,氧化钒介质层和氧化锌介质层薄膜采用直流溅射或射频溅射法制备。本发明的优点是:该阻变存储器采用氧化钒/氧化锌叠层结构,具有氧化锌双极性和单极性极性可控的优势,提高了器件的一致性和重复性;与单层氧化钒相比,reset电流降到了10mA以下;在双极性测试过程中,具有一个渐进的reset过程,可以通过不同振幅的reset电压而得到不同的高阻态的电阻,至少可以获得3个电阻值,并且每个电阻值之间有10倍以上的阻值比,因而可以将其应用于多值存储。