[00239648]基于氧化钒/氧化铝叠层结构的阻变存储器及其制备方法

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201310271571.4

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：四川钒钛产业技术研究院

所在地：四川攀枝花市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

一种基于氧化钒/氧化铝叠层结构的阻变存储器由下电极、阻变层和上电极组成并构成叠层结构，其中阻变层为氧化钒薄膜和氧化铝薄膜叠层结构，各层的厚度分别为：下电极50-200nm、氧化钒薄膜5-100nm、氧化铝薄膜1-50nm、上电极50-200nm；其制备方法中氧化钒薄膜由射频溅射法制备，在氧化钒薄膜上通过磁控溅射或热氧化的方法制备氧化铝薄膜。本发明的优点是：该阻变存储器采用氧化钒/氧化铝叠层结构，具有两次reset现象，可以获得3个阻态：低阻态、中间阻态和高阻态，每个阻态之间有10倍以上的阻值比；此外还具有良好的保持性和重复性。

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