[00238059]一种制备沿c轴取向生长的五氧化二钒薄膜的方法

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN200910192094.6

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：四川钒钛产业技术研究院

所在地：四川攀枝花市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

登录后向技术服务商咨询

咨询平台客服试试在线客服吧发布技术需求服务免费

技术详细介绍

本发明提供了一种设备及工艺简单的制备c轴取向生长的五氧化二钒薄膜的方法。具体步骤包括：(1)以二乙酰丙酮氧钒为原料，配制成溶胶；(2)以此溶胶为涂覆液，在清洗干净的衬底材料上，采用提拉涂膜法或者旋涂法成膜；(3)在含氧气氛中进行热处理。本发明具有工艺简单，可大面积制备，制备成本低廉等优点。所制备的五氧化二钒薄膜沿c轴方向生长，取向单一，有利于离子的嵌入与脱嵌，可改善锂离子电池阴极及电致变色器件的性能。

成果推荐需求推荐评估专家推荐评估机构推荐

更多>

上海平正评估有限公司

服务分类：资产评估、无形资产评...

进入主页
连城资产评估有限公司

服务分类：资产评估、无形资产评...

进入主页

更多>