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[00236480]一种高电阻温度系数二氧化钒薄膜及其低温沉积方法

交易价格: 面议

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201611000544.3

交易方式: 完全转让 许可转让 技术入股

联系人: 四川钒钛产业技术研究院

所在地:四川攀枝花市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

本发明涉及一种高电阻温度系数二氧化钒薄膜及其低温沉积方法,所述薄膜由通过磁控溅射依次形成在衬底上的三氧化二钒籽晶层以及掺杂二氧化钒薄膜层构成,所述掺杂二氧化钒薄膜层的化学组成为WxTiyV1‑x‑yO2,其中0<x<0.1,0<y<0.2,x:y=(0.1~0.5):1。本发明制备的二氧化钒薄膜结晶质量高,完全无杂相,且具有较高的电阻温度系数。

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