[00236310]一种二氧化钒薄膜及其低温沉积方法

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201610738999.9

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：四川钒钛产业技术研究院

所在地：四川攀枝花市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

本发明涉及一种二氧化钒薄膜及其低温沉积方法，所述二氧化钒薄膜由通过磁控溅射技术依次形成在衬底上的缓冲层以及二氧化钒薄膜层构成，所述缓冲层为二氧化钒缺氧层，其中所述二氧化钒缺氧层的结构式为VOx，其中1.0≤x≤1.75。本发明使用的缓冲层（二氧化钒缺氧层（例如三氧化二钒层）），具有籽晶层与缓冲层的双重功能。以钒的三价氧化物三氧化二钒为例，三氧化二钒具有很宽的结晶温度区间，从室温到850℃均可自发结晶，这一性质为在三氧化二钒层上实现二氧化钒薄膜层的低温沉积奠定了基础。

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