[00236299]对向靶反应磁控溅射制备氧化钒薄膜的方法
交易价格：
面议
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN200510014470.4
交易方式：
完全转让
许可转让
技术入股
联系人：
四川钒钛产业技术研究院
所在地：四川攀枝花市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明涉及一种对向靶反应磁控溅射制备氧化钒薄膜的方法，属于薄膜制备技术。包括①玻璃和硅基片表面清洗。②若采用硅为基片，先在硅片表面用PECVD方法沉积一层氧化硅薄膜。③采用了具有靶材利用率高、溅射薄膜均匀的对向靶反应磁控溅射法沉积氧化钒薄膜，工艺条件为：背底真空＜3×10 －4 Pa，氩氧比例100∶1～140∶1，溅射功率150W～240W，衬底温度为25～200℃。本发明方法的优点在于不需要进行高温热处理，只需改变溅射工艺条件就可以制备出具有高电阻温度系数和低室温电阻的氧化钒薄膜，简化了镀膜工艺。本方法制备的氧化钒薄膜在20～30℃之间的电阻温度系数能达到－3×10 －2 K －1 以上，室温方块电阻在50KΩ/□以下，可用来制作低噪声的微热探测器件。
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