[00235439]一种自由且非平面生长的陶瓷基二氧化钒纳米棒结构的制备方法

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201610557204.4

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：四川钒钛产业技术研究院

所在地：四川攀枝花市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

本发明公开了一种自由且非平面生长的陶瓷基二氧化钒纳米棒结构的制备方法，包括以下步骤：陶瓷基片的清洗；称量V2O5粉末；单一气相传输沉积法制备陶瓷基二氧化钒纳米棒的步骤。本发明提供了一种操作简便，可低成本制备陶瓷基二氧化钒纳米棒的方法，单一气相传输法所需控制的工艺条件少，且对环境无污染。并且，所沉积的陶瓷基二氧化钒纳米棒结构具有较大比表面积和气体扩散通道，更有利于气体的吸附和扩散。结果表明，本发明所制备的陶瓷基二氧化钒纳米棒结构将在降低甲烷气敏传感器工作温度，提高甲烷气敏传感器灵敏度方面提供很大的研究空间。

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