[00235220]一种亚稳态二氧化钒薄膜的制备方法

交易价格： 面议

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201310541130.1

交易方式： 完全转让许可转让技术入股

联系人：四川钒钛产业技术研究院

所在地：四川攀枝花市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

本发明公开了一种亚稳态二氧化钒薄膜的制备方法，采用直流磁控溅射技术。包括以下步骤：（1）准备金属钒靶、氩气和氧气气体；磁控溅射仪至少包括样品准备腔和生长腔这两个真空腔室，生长腔室抽真空至4.5×10-4Pa以下；（2）只通入Ar气体，设定溅射功率，清洗金属钒靶表面的氧化部分和一些污染物杂质；（3）衬底加热并保温10分钟左右；（4）通入氩气和氧气气体，其比率为10：1，调节真空室压强在1Pa，启动射频溅射工作源，溅射功率为40W，开始溅射；（5）薄膜生长至要求厚度后，关闭加热电源，使样品自然冷却，在此过程，打开真空阀，分子泵保持打开状态。本发明制备的薄膜具有良好的结构和电阻－温度系数。

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