[00235028]一种实现M相二氧化钒纳米线择优取向排列生长的制备方法
交易价格:
面议
类型:
发明专利
技术成熟度:
正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN201511034533.2
交易方式:
完全转让
许可转让
技术入股
联系人:
四川钒钛产业技术研究院
所在地:四川攀枝花市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明公开了一种实现M相二氧化钒纳米线择优取向排列生长的制备方法。本发明通过优化脉冲激光沉积技术方法实现了二氧化钒纳米线的择优取向排列生长。通过选择激光器和靶材,选择衬底,溅射通过简单的温度、氧压和沉积时间得到长度不同的VO2(M)纳米线阵列。该方法工艺十分简单,对设备要求低,重现性好,可控程度高,无毒害,符合环境要求。本发明采用脉冲激光沉积技术,操作简单,不会产生有毒气氛,也不会对实验人员造成伤害。本发明可以得到择优取向排列的VO2(M)纳米线,为VO2(M)纳米线组装和集成奠定了基础。